7月初，业界一则震撼消息传来，据韩媒Newdaily报道，三星电子第五代高速存储器HBM3e已成功获得GPU巨头英伟达的质量认证，预示着三星即将步入HBM大规模量产的新阶段。报道援引半导体行业内部消息，称三星近期收到来自英伟达的HBM3e产品准备度认可（PRA），即将开启供应谈判。

然而，就在这一消息引发热议不到一小时，财经媒体Hankyung迅速跟进，指出三星官方否认了通过认证的传闻，强调相关认证工作仍在持续推进中。三星方面表示，所谓的“认证成功”仅是内部进展，HBM3e的部分认证预计将于2024年第三季度末完成。

集邦咨询的最新分析揭示了更为复杂的局势。实际上，三星正与英伟达及其他主要客户就8层与12层HBM3e产品的资格认证紧密合作，认证过程远未尘埃落定。此前路透社报道指出，三星自去年起尝试使其HBM3及HBM3e产品通过英伟达测试，今年4月其8层和12层HBM3e芯片测试遭遇失败。

Newdaily的深度报道透露，三星此番突破是在应英伟达要求，派遣HBM及内存开发部门高管赴美沟通后约一个月实现的。早前，三星因过热等问题未能按计划通过质量测试。

对于双方而言，合作意义重大。三星视向英伟达供应HBM为提振存储业务的关键一步，而英伟达面对AI半导体需求暴涨及下一代GPU Rubin即将量产，急需扩大HBM供应，以应对大幅提升的HBM使用需求。

报道预测，三星HBM生产不确定性有望消除，下半年起大规模生产，带动内存业务飞跃式增长，HBM性能亦将迎来质的飞跃。

另一边，三星的主要竞争对手SK海力士目前是英伟达HBM3及HBM3e的主要供应商。集邦咨询早前分析指出，英伟达即将推出的B100或H200型号将采用先进的HBM3e，当前为H100解决方案供货的HBM3则主要由SK海力士担纲。

五月《金融时报》报道，SK海力士已成功将HBM3e芯片量产时间缩短一半，接近80%的目标良率。

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*注：本内容整合自Newdaily与Hankyung的报道信息。